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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116264185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210884662.4，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置是由小泽歩设计研发完成，并于2022-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供一种能够缩小在配置接触件的区域彼此对向的降阶部与升阶部之间所形成的间隙的半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置。一实施方式的半导体存储装置的制造方法包括：第1抗蚀剂形成步骤、第1阶段形成步骤、第2抗蚀剂形成步骤、及第2阶段形成步骤。在第1抗蚀剂形成步骤中，在积层体的上表面形成第1抗蚀层，该第1抗蚀层形成有使积层体的上表面的一部分露出的第1开口图案。在第1阶段形成步骤中，通过经由第1开口图案进行的蚀刻加工而同时形成作为降阶部及升阶部中的一者的第1阶段部的下侧区域、与作为降阶部及升阶部中的另一者的第2阶段部的上侧区域。在第2抗蚀剂形成步骤中，在积层体的上表面形成第2抗蚀层，该第2抗蚀层形成有使作为由第1阶段形成步骤形成的第1阶段部及第2阶段部的最下阶的中间底部的一部分与第1阶段部的下侧区域露出的第2开口图案。在第2阶段形成步骤中，通过经由第2开口图案进行的蚀刻加工而同时形成第1阶段部的上侧区域与第2阶段部的下侧区域。

本发明授权半导体存储装置的制造方法及半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置的制造方法，该半导体存储装置是在将多个包含导电层与绝缘层的组的单位层积层而成的积层体上，形成有所述单位层朝第1方向降阶的降阶部、与所述单位层朝所述第1方向升阶以与所述降阶部对向的升阶部、夹隔所述降阶部及所述升阶部而邻接的第1单元及第2单元，且所述第1单元和所述降阶部连接，所述第2单元和所述升阶部连接，该半导体存储装置的制造方法包括以下步骤： 第1抗蚀剂形成步骤，在所述积层体的上表面形成第1抗蚀层，该第1抗蚀层形成有使所述积层体的上表面的一部分露出的第1开口图案； 第1阶段形成步骤，通过经由所述第1开口图案进行的蚀刻加工而同时形成作为所述降阶部及所述升阶部中的一者的第1阶段部的下侧区域、与作为所述降阶部及所述升阶部中的另一者的第2阶段部的上侧区域，且不同时形成所述第1阶段部的上侧区域； 第2抗蚀剂形成步骤，在所述积层体的上表面形成第2抗蚀层，该第2抗蚀层形成有使作为由所述第1阶段形成步骤形成的所述第1阶段部及所述第2阶段部的最下阶的中间底部的一部分与所述第1阶段部的下侧区域露出的第2开口图案； 第2阶段形成步骤，通过经由所述第2开口图案进行的蚀刻加工而同时形成所述第1阶段部的所述上侧区域与所述第2阶段部的下侧区域，且在所述降阶部和所述升阶部之间形成间隙；以及 在所述降阶部的阶台部配置从所述第1单元取出电荷的接触件，在所述升阶部的阶台部配置从所述第2单元取出电荷的接触件。

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