北京信息科技大学邓伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京信息科技大学申请的专利一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116259668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310132294.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法是由邓伟;倪晓明;吴秋新;李严;殷树娟;杨鹏飞设计研发完成，并于2023-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域，该结构包括：设置在衬底上的源极和漏极；其中，源极、漏极之间的间隔区域设置有有源层；漏极与有源层接触的一侧设置有漏极隔离层。本申请通过在有源层中靠近漏极一端制备绝缘层，从而达到降低薄膜晶体管在关态时漏电流的目的，从而解决薄膜晶体管在保持阶段液晶偏压不稳定的问题。
本发明授权一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低关态功耗的薄膜晶体管结构，其特征在于，所述结构包括： 设置在衬底1上的源极2和漏极3；其中， 所述源极2、所述漏极3之间的间隔区域设置有有源层4； 所述漏极3靠近所述有源层4的一侧设置有漏极隔离层5，且所述漏极3与所述漏极隔离层5接触设置； 所述漏极隔离层5的厚度以及高度被配置成当薄膜晶体管结构处于开态时，不影响所述源极2与所述漏极3之间形成的夹断点。
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