长江存储科技有限责任公司李思晢获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及三维存储器制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116234319B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310264737.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维存储器及三维存储器制作方法是由李思晢;毛晓明设计研发完成，并于2020-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器及三维存储器制作方法在说明书摘要公布了：本发明属于存储设备技术领域，具体涉及一种三维存储器及三维存储器制作方法。本发明旨在解决相关技术中沟道结构受力较大，容易造成沟道结构损坏的问题。该三维存储器包括衬底和堆叠结构；堆叠结构包括多个导电层和多个绝缘层；堆叠结构设置有多个沟道孔，沟道孔内设置有沟道结构；堆叠结构还设置有多个虚设孔，多个虚设孔位于各沟道孔之间，每个虚设孔的孔底与一个导电层接触；各虚设孔内均设置有连接线，连接线朝向衬底的一端与该连接线所在的虚设孔的孔底对应的导电层接合。如此设置，每一导电层均可以通过对应的连接线与外围器件连接；无需设置阶梯区，避免了因在阶梯区内填充绝缘填充物而导致的沟道结构受力，进而防止沟道结构损坏。
本发明授权三维存储器及三维存储器制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向交替层叠的多个导电层和多个绝缘层； 沟道结构，所述沟道结构沿第一方向贯穿所述堆叠结构； 连接线，所述连接线位于多个所述沟道结构之间，沿第一方向穿过所述堆叠结构至所述堆叠结构中的不同的长度，并与至少一层所述导电层连接； 绝缘侧壁，所述绝缘侧壁环绕所述连接线； 在X方向上沿所述堆叠结构的中心至边缘，所述连接线在所述第一方向上的长度依次增大或减小。
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