北京超弦存储器研究院罗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利U型沟槽的形成方法和MOS晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230508B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111465822.3，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权U型沟槽的形成方法和MOS晶体管是由罗杰设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本U型沟槽的形成方法和MOS晶体管在说明书摘要公布了：本发明提供了一种U型沟槽的形成方法和MOS晶体管，U型沟槽的形成方法包括：形成基底；在基底上沉积一沉积层；通过第一次刻蚀，在所述沉积层中形成预设的图形；将所述图形转移至所述基底，形成沟槽雏形；对所述沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在所述沟槽雏形内形成掺杂层；通过第二次刻蚀，去除所述掺杂层，形成U形沟槽；其中，在第二次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比不同于在第一次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比。MOS晶体管包括上述方法形成的U形沟槽。本发明对沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在沟槽雏形内壁与底面形成掺杂层；然后，根据掺杂对硅晶材料的改变情况，确定选择比，进行刻蚀去除掺杂层得到了U形沟槽；U形状沟槽不存在转折点。
本发明授权U型沟槽的形成方法和MOS晶体管在权利要求书中公布了：1.一种U型沟槽的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成基底，所述基底采用硅晶； 在基底上沉积一沉积层； 通过第一次刻蚀，在所述沉积层中形成预设的图形； 将所述图形转移至所述基底，形成沟槽雏形； 对所述沟槽雏形进行等离子掺杂处理，在所述沟槽雏形的内壁与底面形成掺杂层，形成的所述掺杂层深入所述基底与所述基底间形成U形平滑的邻接弧线； 通过第二次刻蚀，去除所述掺杂层，所述邻接弧线外显形成U形沟槽；其中， 在第二次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比不同于在第一次刻蚀工艺中采用的刻蚀选择比。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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