北京超弦存储器研究院罗杰获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利垂直二维场效应器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111420075.1，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权垂直二维场效应器件及其制造方法是由罗杰;孙红波设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直二维场效应器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直二维场效应器件及其制造方法，方法包括：根据垂直二维场效应器件的图形设计，在基片表面设置相互交叉的第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜，第一成型掩膜的宽度与场效应管单元的厚度相等，第一蚀刻掩膜的间距与场效应管单元的长度相等，进行第一次蚀刻形成第一深度的第一凹槽；第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜两者下部的留存部分分别形成垂直场效应器件雏形和张拉骨架；再进行第二次蚀刻形成第二深度的第二凹槽，以及再实施后处理工艺形成源极、栅极和漏极。采用上述方法得到垂直二维场效应器件，包括与基片呈垂直平面形状的场效应管，上端和下端分别为源极或者漏极，栅极设于源极和漏极之间，最终场效应管的周边填充第一绝缘材料。
本发明授权垂直二维场效应器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直二维场效应器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： S10根据垂直二维场效应器件的图形设计，在基片表面设置相互交叉的第一成型掩膜和第一蚀刻掩膜，第一成型掩膜的宽度与场效应管单元的厚度相等，第一蚀刻掩膜的间距与场效应管单元的长度相等，进行第一次蚀刻形成第一深度的第一凹槽；第一成型掩膜下部的留存部分形成垂直场效应器件雏形；第一蚀刻掩膜下部的留存部分形成张拉骨架； S20去除第一成型掩膜，向第一凹槽中填充第一绝缘材料并进行平整处理； S30去除第一蚀刻掩膜，在除第一蚀刻掩膜外的部位设置第二蚀刻掩膜，进行第二次蚀刻形成第二深度的第二凹槽，再实施后处理工艺形成源极、栅极和漏极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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