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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169143B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111413274.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法是由罗杰;曾明;孟敬恒设计研发完成，并于2021-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法，器件包括垂直于基片设置且相互平行间隔布置的多个场效应晶体管，每个场效应晶体管周边填充第一绝缘材料实现与相邻场效应晶体管的隔离，相邻场效应晶体管的根部与基片之间设有连接层。方法包括：在基片上加工出垂直于基片且相互平行间隔布置的多个场效应晶体管雏形，场效应晶体管雏形的两端保留有骨架连接，进行沉积工艺，然后进行第一次蚀刻在场效应晶体管雏形表面保留沉积物形成保护层；在骨架上设有第一蚀刻掩模，采用进行氧化刻蚀工艺，将场效应晶体管雏形的根部与基片的连接断开；在断开的根部设置连接层，再实施图案化工艺形成场效应晶体管的源极、栅极和漏极。

本发明授权垂直悬浮二维场效应器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直悬浮二维场效应器件，其特征在于，包括基片和垂直于基片且相互平行间隔布置的多个场效应晶体管单元，其特征在于，所述场效应晶体管单元周边填充有第一绝缘材料以与相邻的所述场效应晶体管单元隔离，所述场效应晶体管单元包括源极、栅极和漏极，所述源极漏极位于所述场效应晶体管单元垂直于所述基片的竖直平面的上端，所述栅极位于所述场效应晶体管单元垂直于所述基片的竖直平面的中间部位，所述漏极源极位于所述场效应晶体管单元垂直于所述基片的竖直平面的下端， 所述场效应晶体管单元还包括根部，所述根部位于所述场效应晶体管单元垂直于所述基片的竖直平面的下端，且位于所述漏极源极与所述基片之间，所述根部与所述基片之间设置有连接层，各所述场效应晶体管单元均通过所述连接层相互连接，所述连接层包括金属、半导体和氮化钛材料中的至少一种； 所述场效应晶体管单元包括对立设置的P型场效应晶体管和N型场效应晶体管，所述基片上包括多个间隔设置的凸起部，所述P型场效应晶体管和所述N型场效应晶体管位于所述凸起部上，相邻所述凸起部之间填充有第二绝缘材料。

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