北京国科天迅科技有限公司杨丽丽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京国科天迅科技有限公司申请的专利能量检测电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116133095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211690962.5,技术领域涉及:H04W52/02;该发明授权能量检测电路是由杨丽丽;刘银栋;杨猛;刘耕远;赵亚琼;王利;应子罡设计研发完成,并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本能量检测电路在说明书摘要公布了:本发明提供一种能量检测电路,涉及电子技术领域。所述电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管。第一场效应管和第二场效应管构成第一栅交叉耦合整流结构,第三场效应管和第四场效应管构成第二栅交叉耦合整流结构。通过调整第一栅交叉耦合整流结构的衬底电位,降低场效应管的阈值电压,并实现检测下限小于场效应管阈值电压的一半。一方面降低了能量检测的下限,提高了唤醒电路的灵敏度,另一方面降低了能量检测电路的功耗。
本发明授权能量检测电路在权利要求书中公布了:1.一种能量检测电路,其特征在于,包括: 第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管; 第一场效应管、第三场效应管的源极分别连接差分输入信号的第一端; 第一场效应管、第三场效应管的栅极分别连接差分输入信号的第二端; 第二场效应管、第四场效应管的源极分别连接差分输入信号的第二端; 第二场效应管、第四场效应管的栅极分别连接差分输入信号的第一端; 第三场效应管的漏极和第三场效应管的衬底相连; 第四场效应管的漏极和第四场效应管的衬底相连; 第三场效应管和第四场效应管的漏极相连; 第一场效应管的衬底和差分输入信号的第一端相连; 第二场效应管的衬底和差分输入信号的第二端相连; 第一场效应管的漏极和第二场效应管的漏极分别连接到第一连接点; 第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管均为PMOS管; 第一场效应管和第二场效应管构成第一栅交叉耦合整流结构,第三场效应管和第四场效应管构成第二栅交叉耦合整流结构; 还包括:布置于差分输入信号的第一端和第一场效应管的衬底之间的第一开关;布置于差分输入信号的第二端和第二场效应管的衬底之间的第二开关;布置于第一连接点和接地端之间的第三开关; 在能量检测电路启动前,第一开关、第二开关和第三开关闭合;在能量检测电路开始工作时,第一开关、第二开关和第三开关断开; 还包括:布置于第一连接点和接地端之间的第一电容; 还包括信号处理器;信号处理器的输入端与第一连接点相连;信号处理器的输出端输出能量检测指示信号;信号处理器为反相器、场效应管或比较器。
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