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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利电源电路以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116107382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210932101.7，技术领域涉及：G05F1/625；该发明授权电源电路以及半导体装置是由丸山龙彦;卯尾豊明设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本电源电路以及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的实施方式提供电源电路以及半导体装置，能够相对于在更短的时间内上升的ESD应力的施加进行保护。根据本实施方式，电源电路具备第一晶体管、反馈电压生成电路、第一电压生成电路以及保护电路。第一晶体管连接在供输入电压输入的输入端子与供输出电压输出的输出端子之间。反馈电压生成电路对输出电压进行分压而生成反馈电压。第一电压生成电路基于反馈电压及基准电压，以输出电压与设定值一致或者近似的方式，经由第一节点向第一晶体管的第一控制端子供给电压。保护电路在输入电压在规定时间内超过第一阈值电压地增加的情况下，向第一控制端子输出使第一晶体管成为非导通或者示出规定的高电阻值的状态的电压。

本发明授权电源电路以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种电源电路，具备： 第一晶体管，连接在供输入电压输入的输入端子与供输出电压输出的输出端子之间； 反馈电压生成电路，对上述输出电压进行分压而生成反馈电压； 第一电压生成电路，基于上述反馈电压及基准电压，以上述输出电压与设定值一致的方式，经由第一节点向上述第一晶体管的第一控制端子供给电压；以及 保护电路，在上述输入电压增加而在规定时间内超过第一阈值电压的情况下，向上述第一控制端子输出使上述第一晶体管成为非导通或者示出规定的高电阻值的状态的电压， 上述保护电路具有： 第二晶体管，连接在上述输入端子与上述第一节点之间；以及 第二电压生成电路，根据上述输入电压的时间变化，向上述第二晶体管的第二控制端子供给电压， 上述第二电压生成电路具有： 第一电容器，连接在上述输入端子与第二节点之间； 第一电阻，连接在上述第二节点与接地端子之间； 第三晶体管，连接在上述接地端子与第三节点之间，该第三晶体管的第三控制端子与上述第二节点连接；以及 第二电阻，连接在上述输入端子与上述第三节点之间， 上述第三节点与上述第二控制端子连接， 上述电源电路还具备NMOS型的第四晶体管，该第四晶体管的栅极以及源极与上述接地端子连接，漏极与上述输入端子连接， 上述第一阈值电压被设定得低于上述第四晶体管的折回电压， 上述保护电路为，在上述第二节点的电位达到与上述第一阈值电压对应的第一电位的情况下，向上述第一控制端子输出使上述第一晶体管成为非导通或者示出规定的高电阻值的状态的电压。

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