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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116088245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310119696.9，技术领域涉及：G02F3/00；该发明授权基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门是由杨俊波;张煜青;彭政;王焱;王志成设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门，属于光子信息器件技术领域；全光逻辑门结构在绝缘衬底硅片上设计得到，包括第一输入波导A、中间控制波导C、第二输入波导B、中间设计区域和输出波导Y。本发明的全光逻辑门器件具有2.4μm×2.4μm的超小占地面积，通过融合相变材料的非易失性，实现了可重构特性；并通过直接二进制搜索算法DBS在绝缘衬底硅片上实现了NOT、OR、AND和XOR四个全光逻辑门，经仿真结果表明，所设计的器件具有较好的逻辑对比度，这种可重构的超紧凑的逻辑门将成为纳米光子集成电路应用的潜在优势。

本发明授权基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门在权利要求书中公布了：1.基于相变材料Sb2Se3的非易失性可重构紧凑型全光逻辑门，其特征在于：所述全光逻辑门结构在绝缘衬底硅片上设计得到，包括第一输入波导A、中间控制波导C、第二输入波导B、中间设计区域和输出波导Y； 所述中间设计区域由刻蚀了纳米方柱阵列结构的硅片中填充相变材料Sb2Se3构成，中间设计区域划分为若干个正方形像素点，每个像素点内的填充材料为Si或Sb2Se3，其中Sb2Se3的状态包括a-Sb2Se3非晶态和c-Sb2Se3晶态； 所述中间控制波导C将光源一直输入到中间设计区域，采用随机化的初始结构，并选择第一个像素点作为起点，通过DBS算法计算出这种结构下逻辑门的品质因数FOM_old，将本像素点的填充材料进行切换再次计算逻辑门的品质因数FOM_new，若FOM_newFOM_old，则保留此时像素点材料，否则返回像素点的原始材料，继续读取下一个像素点，依次迭代计算所有像素点，最终构建成两种结构，一个结构实现OR和NOT门，另一个结构实现AND和XOR门。

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