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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种电子束光刻方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116047873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310181916.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种电子束光刻方法和半导体器件是由徐剑;韦亚一;杨尚设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电子束光刻方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电子束光刻方法和半导体器件，属于半导体器件制备技术领域，解决了现有技术中利用辅助图形修正邻近效应时会占用额外的版图面积，不利于器件高密度集成的问题。所述方法包括如下步骤：步骤A：在衬底上形成光刻胶层；步骤B：通过曝光和显影在光刻胶层上形成器件图形和辅助图形，其中，所述器件图形和所述辅助图形采用不同等级的剂量曝光，使辅助图形在显影工艺中不被完全显影，进而使辅助图形在后续刻蚀过程中不被刻蚀到衬底上；步骤C：刻蚀，在衬底上形成器件图形；步骤D：去除衬底表面残留的光刻胶。该方法不仅可以修正邻近效应，还可以避免辅助图形占用额外的衬底面积。

本发明授权一种电子束光刻方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种电子束光刻方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤A：在衬底1上形成光刻胶层2； 步骤B：通过曝光和显影在光刻胶层2上形成器件图形3和辅助图形4，其中，所述器件图形3和所述辅助图形4采用不同等级的剂量曝光，使辅助图形4在显影工艺中不被完全显影，辅助图形中未被显影的光刻胶可以保护下面的衬底不受后续的刻蚀影响，进而使辅助图形4在后续刻蚀过程中不被刻蚀到衬底1上，既能通过辅助图形调制真正需要曝光区域的图形能量分布从而解决因图形能量不均匀而产生邻近效应的问题，同时又不会因引入辅助图形而占用额外的衬底面积； 采用灰度曝光技术使所述器件图形3和所述辅助图形4进行不同等级的剂量曝光；曝光所述辅助图形4的剂量使得所述辅助图形4显影后仍然存在的光刻胶厚度能够满足在后续刻蚀过程中辅助图形4不被刻蚀到衬底1上； 步骤C：刻蚀，在衬底1上形成器件图形3； 步骤D：去除衬底1表面残留的光刻胶； 所述电子束光刻方法制备得到的半导体器件的衬底上只有器件图形，且周围没有辅助图形，器件集成密度高；并且，器件图形正确、不失真。

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