浙江驰拓科技有限公司杨保林获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江驰拓科技有限公司申请的专利一种磁存储阵列的测试结构及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116018046B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111224186.5，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种磁存储阵列的测试结构及测试方法是由杨保林;何世坤设计研发完成，并于2021-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁存储阵列的测试结构及测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁存储阵列的测试结构及测试方法，测试结构包括下金属层、上金属层、磁隧道结阵列、原位磁场结构，磁隧道结阵列中包含有待测磁存储器件。原位磁场结构包括环绕待测磁存储器件的至少一匝金属线圈。通过在磁隧道结阵列的上下两个进行层的至少一个金属层内设置原位磁场结构，能够通过向至少一匝金属线圈通电流，以给作为单个或几个磁隧道结组成的待测磁存储器件施加垂直磁场，测试待测磁存储器件在读写过程中抗外磁场的干扰性能。且还能够通过原位磁场，计算出待测磁存储器件的热稳定因子等重要参数，以在WAT测试中能够获取到待测磁存储器件的部分磁性能参数，使测试结果能够反映磁隧道结阵列特性。
本发明授权一种磁存储阵列的测试结构及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种磁存储阵列的测试结构，其特征在于，包括： 下金属层； 位于所述下金属层上方的上金属层； 设置在所述下金属层与上金属层之间的磁隧道结阵列，其中，所述磁隧道结阵列中包含有待测磁存储器件； 原位磁场结构，包括：环绕所述待测磁存储器件的至少一匝金属线圈；所述至少一匝金属线圈位于所述下金属层和或上金属层内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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