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龙图腾网获悉瀚昕微电子(无锡)有限公司申请的专利SiC MOSFET驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116015257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211710965.0，技术领域涉及：H03K17/04；该发明授权SiC MOSFET驱动电路是由朱宁设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC MOSFET驱动电路在说明书摘要公布了：本申请技术方案提供一种SiCMOSFET驱动电路，包括：第一使能模块，输出第一使能信号；第二使能模块，输出第二使能信号；驱动信号接收模块，接收所述SiCMOSFET的控制逻辑信号并输出；驱动电压输出模块，基于所述第一使能信号、所述第二使能信号以及所述控制逻辑信号向所述SiCMOSFET的栅极提供驱动电压，其中所述第一使能信号用于对所述驱动电压输出模块的启动与否进行使能，所述第二使能信号用于对所述驱动电压输出模块是否输出所述驱动电压进行使能。本申请技术方案的SiCMOSFET驱动电路能够兼具较短的启动延迟时间和较高的初始驱动电压，并且可以基于SiCMOSFET驱动电路的温度自适应的调节驱动电压。

本发明授权SiC MOSFET驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET驱动电路，其特征在于，包括： 第一使能模块，被配置为接收供电电压，并将所述供电电压与第一参考电压进行比较，并输出第一使能信号； 第二使能模块，被配置为接收所述供电电压，并将所述供电电压与第二参考电压进行比较，并输出第二使能信号，其中所述第二参考电压大于所述第一参考电压，所述第二使能模块包括： 第二参考电压电路，用于提供所述第二参考电压，且包括第二高参考电压电路、第二低参考电压电路和第三反相器，所述第二高参考电压电路用于输出第二高参考电压，且通过第三MOS管与所述第二比较器的第二输入端连接，所述第二低参考电压电路用于输出第二低参考电压，并通过第四MOS管与所述第二比较器的第二输入端连接，所述第三反相器的输入端连接所述第二比较器的输出端，所述第三反相器的输出端连接所述第四MOS管的栅极，其中所述第二低参考电压电路输出的所述第二低参考电压的大小随所述SiCMOSFET驱动电路的温度的升高而增大； 第二比较器，包括第一输入端、第二输入端及输出端，所述第二比较器的第一输入端用于接收所述供电电压，所述第二比较器的第二输入端连接所述第二参考电压电路，所述第二比较器的输出端用于输出所述供电电压与所述第二参考电压的比较结果； 第四反相器，所述第四反相器的输入端连接所述第三反相器的输出端，所述第四反相器的输出端连接驱动电压输出模块； 驱动信号接收模块，被配置为接收所述SiCMOSFET的控制逻辑信号并输出； 驱动电压输出模块，连接所述第一使能模块、所述第二使能模块及所述驱动信号接收模块，并被配置为基于所述第一使能信号、所述第二使能信号以及所述控制逻辑信号向所述SiCMOSFET的栅极提供驱动电压，其中所述第一使能信号用于对所述驱动电压输出模块的启动与否进行使能，所述第二使能信号用于对所述驱动电压输出模块是否输出所述驱动电压进行使能，所述驱动电压输出模块包括：第三与门，包括第一输入端、第二输入端、第三输入端和输出端，所述第三与门的第一输入端用于接收所述第一使能模块的第一使能信号，所述第三与门的第二输入端用于接收所述第二使能模块的第二使能信号，所述第三与门的第三输入端连接所述驱动信号接收模块；Buffer电路，所述Buffer电路的输入端连接所述第三与门的输出端，所述Buffer电路的输出端连接所述SiCMOSFET的栅极。

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