济南唯智光电科技有限公司殷放军获国家专利权
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龙图腾网获悉济南唯智光电科技有限公司申请的专利一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115986009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211675160.7,技术领域涉及:H10H20/01;该发明授权一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构是由殷放军;郭峰豪;雷瑞瑞;于传帅;刘辉设计研发完成,并于2022-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构,其P面电极上表面分为4个区域,分别是出光端脊条、有源多模干涉器、多个非出光端脊条、多个带不同周期DBR的脊条以及光学吸收区。本发明在通过多DBR结构来有效钳制增益中心波长,使得器件出射光的中心波长不同,进而有效抑制因电流增加时,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄的问题,最终达到有效拓宽器件的光谱宽度。采用倾斜脊型条结构并且通过前后腔面蒸镀反射率小于2%的宽光谱增透膜并在器件的非出光端制作光学吸收区,通过以上3种方法有效抑制F‑P震荡,确保出射光为超辐射光。
本发明授权一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构在权利要求书中公布了:1.一种超大光谱宽度的多周期DBR超辐射发光二极管结构,其特征在于,包括自上而下依次层叠设置的P面电极、P型限制层、P型波导层、有源层、N型波导层、N型限制层、InP衬底、N面电极;所述P面电极上表面分为4个区域,分别是出光端脊条1、有源多模干涉器2、多个非出光端脊条3、多个带不同周期DBR的脊条4以及光学吸收区5; 所述出光端脊条1、多个非出光端脊条3的腐蚀深度在0.5~1.5μm之间; 所述出光端脊条1、带不同周期DBR脊条4都为倾斜式脊条,与出光方向成3~8°的夹角; 所述出光端脊条1为前窄后宽的倾斜脊条,与有源多模干涉器2接触的出光端脊条1宽度为6~10μm,与出光腔面接触的出光端脊条1宽度为3~5μm; 所述带不同周期DBR脊条4的宽度为2~4μm,所述光学吸收区5面积占所述P面电极上表面面积的3%~10%。
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