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龙图腾网获悉强华时代(成都)科技有限公司申请的专利一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310126922.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法是由汪志刚;张卓设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法，其中，晶体管包括：衬底和外延层；所述外延层上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管；所述主IGBT管的发射极与检测IGBT管的发射极通过检测电阻连接，其栅极与检测IGBT管的栅极连接。本发明的背靠背齐纳二极管连接在检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间，并用于配置在静电放电期间ESD钳位检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的电压，针对检测IGBT栅极与检测IGBT发射极之间的正向和反向电流提供ESD保护。

本发明授权一种绝缘栅双极型晶体管及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底102和外延层100；在有缓冲层101时，缓冲层101设置在衬底102上，外延层100设置在缓冲层101上；在无缓冲层101时，外延层100设置在衬底102上；所述外延层100上包括：主IGBT区域和检测IGBT区域；所述主IGBT区域上构建主IGBT管402；所述检测IGBT区域构建检测IGBT管401；所述主IGBT管402的发射极与检测IGBT管401的发射极通过检测电阻302连接，其栅极与检测IGBT管401的栅极连接； 所述检测IGBT区域上包括：第一结掺杂区域103、检测IGBT发射极区域201和检测IGBT栅极沟槽区域204； 所述检测IGBT栅极沟槽区域204内设置有第一绝缘区域207；所述第一绝缘区域207内包括：n型掺杂区域203和p型掺杂区域202；所述n型掺杂区域203与p型掺杂区域202交替叠加，形成背靠背齐纳二极管403； 所述检测IGBT栅极沟槽区域204与检测IGBT发射极区域201连接； 将背靠背齐纳二极管403的一端与检测IGBT发射极连接，其另一端与检测IGBT栅极连接； 所述背靠背齐纳二极管403通过多次离子注入得到，所述形成背靠背齐纳二极管403包括：以两p型掺杂区域202做第一层，第一层的两个p型掺杂区域202对称布置，且第一层的两个p型掺杂区域202间设有n型掺杂区域203，n型掺杂区域203叠加在第一层上构成第二层，第二层的两个n型掺杂区域203对称布置，p型掺杂区域202叠加在第二层上构成第三层，后续n型掺杂区域203与p型掺杂区域202交替叠加，叠加方式为垂直叠加，直到达到设定层数，并以n型掺杂区域203做最后一层，最后一层的两个n型掺杂区域203对称布置，除第一层外的其他层对称布置的n型掺杂区域203和p型掺杂区域202均采用隔离绝缘区305隔离开。

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