北京超弦存储器研究院吕术勤获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元及设计优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115881565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111140424.4，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元及设计优化方法是由吕术勤;刘宏喜;陈文静;曹凯华;王戈飞设计研发完成，并于2021-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元及设计优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元及设计优化方法，层间电容测量单元包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质；第一金属层和第二金属层在对应位置分别设置相同的网状电容结构；所述网状电容结构通过引线与同一金属层的电极块连接。探针分别与两层的电极块接触，测量根据设计制作的所述第一金属层和第二金属层的网状电容结构的层间电容值，若测量得到的层间电容值与层间设计电容值不符，则表示设计选用的绝缘介质的介电常数存在偏差，通过更换设计选用的绝缘介质材料或者调整绝缘介质的设计厚度进行优化补偿，实现层间电容设计的优化调整，从而满足磁隧道结制备工艺和器件性能的需求。
本发明授权磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元及设计优化方法在权利要求书中公布了：1.一种磁隧道结制备工艺中的层间电容测量单元，其特征在于，包括第一金属层、第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质； 所述第一金属层和第二金属层在对应位置分别设置相同的网状电容结构；所述网状电容结构通过引线与同一金属层的电极块连接； 所述网状电容结构包括间隔排列成方形矩阵的多个电容极块，所述电容极块分别与其相邻的电容极块连接； 所述电容极块为方形，且尺寸范围为1μm-20μm； 所述电容极块的间距为1μm-90μm，相邻电容极块的连接采用尺寸范围为1μm-10μm的互连线。
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