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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115867029B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210235228.3，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储装置是由小林祐介设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：提供能够适当地制造的半导体存储装置，其具有：基板，具有在第1方向上排列的第1区域及第2区域；多个导电层及多个层间绝缘层，在与基板的表面交叉的第2方向上交替地排列，遍及第1区域及第2区域在第1方向上延伸；半导体层，设置于第1区域，在第2方向上延伸，与多个导电层对置；电荷积蓄膜，设置于多个导电层与半导体层之间；以及第1构造，设置于第2区域，在第2方向上延伸，具有被多个导电层的至少一部分包围的外周面。第1构造具有：多个第3区域，与多个导电层的至少一部分对应地设置；以及多个第4区域，与多个层间绝缘层的至少一部分对应地设置。多个第3区域的第1方向上的宽度大于多个第4区域的第1方向上的宽度。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其中，具备： 基板，具有在第1方向上排列的第1区域及第2区域； 多个导电层及多个层间绝缘层，在与所述基板的表面交叉的第2方向上交替地排列，遍及所述第1区域及所述第2区域地在所述第1方向上延伸； 半导体层，设置于所述第1区域，在所述第2方向上延伸，与所述多个导电层对置； 电荷积蓄膜，设置于所述多个导电层与所述半导体层之间；以及 第1构造，设置于所述第2区域，在所述第2方向上延伸，具有被所述多个导电层的至少一部分包围的外周面， 所述第1构造具有： 多个第3区域，与所述多个导电层的至少一部分对应地设置； 多个第4区域，与所述多个层间绝缘层的至少一部分对应地设置；以及 第1绝缘层，包含所述多个第3区域中的至少一个第3区域， 所述多个第3区域的所述第1方向上的宽度大于所述多个第4区域的所述第1方向上的宽度， 所述第1绝缘层具有：比所述多个层间绝缘层的至少一个层间绝缘层大的密度、比所述多个层间绝缘层的至少一个层间绝缘层小的氢含有率、以及比所述多个层间绝缘层的至少一个层间绝缘层小的针对第1药液的蚀刻率中的至少一个。

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