株式会社国际电气稻田哲明获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115812245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103019.2，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质是由稻田哲明;佐藤崇之设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种基板处理装置，具备：处理容器，其构成处理室；第一气体供给系统，其具有将第一处理气体供给至处理室内的第一供给口；第二气体供给系统，其具有将组成与第一处理气体不同的第二处理气体供给至处理室内的第二供给口；等离子体生成部，其构成为沿着处理容器的外周设置，且由被供给高频电力的电极构成，并对供给至处理室内的第一处理气体及第二处理气体进行等离子体激发；以及基板保持台，其保持基板，第二供给口设置于供给管，并且设置于比第一供给口靠下方，该供给管设置为从处理室的顶面且比第一供给口靠处理容器的径向上的中央侧的位置向下方延伸。
本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备： 处理容器，其构成处理室； 第一气体供给系统，其具有沿着所述处理容器的周向设置且在所述处理室内的周向上供给第一处理气体的第一供给口； 第二气体供给系统，其具有将第二处理气体供给至所述处理室内的第二供给口； 等离子体生成部，其构成为沿着所述处理容器的外周设置，且由被供给高频电力的电极构成，并对供给至所述处理室内的所述第一处理气体进行等离子体激发； 基板保持台，其保持基板； 板，其构成所述处理室的顶面； 盖部，其具有与所述板的上表面对置的下表面；以及 第二缓冲部，其在所述板的所述上表面与所述盖部的所述下表面之间被供给所述第二处理气体， 所述第二供给口设置于供给管，并且设置于比所述第一供给口靠下方，该供给管设置为从所述处理室的所述顶面且比所述第一供给口靠所述处理容器的径向上的中央侧的位置向下方延伸， 所述供给管的上端与所述第二缓冲部连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社国际电气，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励