上海鼎泰匠芯科技有限公司吴健获国家专利权
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龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799255B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211709811.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吴健;邬瑞彬;司徒道海设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件，包括衬底；埋层，形成于衬底内；第一阱区，设于埋层的上表层；第二阱区，设于埋层的上表层且部分区域与衬底接触，第二阱区位于第一阱区的外围；基极引出区和多个发射极引出区，间隔布设于第一阱区的上表层内；栅极结构，设于衬底的上表层上，且包括栅极，栅极在第一阱区上的正投影与发射极引出区呈交错布设；且栅极与基极引出区电性连接；以及集电极引出区，形成于第二阱区的上表层内；其中，多个发射极引出区并联连接，以引出发射极。可提高半导体器件的电流增益，避免因发射极引出区的掺杂浓度过高而影响半导体器件的电流增益。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 埋层，形成于所述衬底内，且具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 第一阱区，设于所述埋层的上表层，且具有所述第一导电类型； 第二阱区，设于所述埋层的上表层且部分区域与所述衬底接触，所述第二阱区位于所述第一阱区的外围，且具有所述第二导电类型； 基极引出区和多个发射极引出区，间隔布设于所述第一阱区的上表层内；所述基极引出区位于所述发射极引出区的外围；所述基极引出区具有所述第一导电类型，所述发射极引出区具有所述第二导电类型； 栅极结构，设于所述衬底的上表层上，且包括栅极，所述栅极在所述第一阱区上的正投影与所述发射极引出区呈交错布设；且所述栅极与所述基极引出区电性连接；以及 集电极引出区，形成于所述第二阱区的上表层内，且具有所述第二导电类型； 其中，多个所述发射极引出区并联连接，以引出发射极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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