长鑫存储技术有限公司杨桂芬获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763479B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111033067.1，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及其制作方法是由杨桂芬设计研发完成，并于2021-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包括第一导电类型阱区，第一导电类型阱区包括：第一器件区，第一器件区内形成有第一有源区，第一有源区形成有第一器件单元，第一器件单元用于提供第一类驱动电流；第二器件区，与第一器件区在第一导电类型阱区的长度方向上相连，第二器件区内形成有第二有源区，第二有源区形成有第二器件单元，第二器件单元用于提供第二类驱动电流，第二类驱动电流的电流值高于第一类驱动电流的电流值；第一器件区与第二器件区的阱区宽度相同。本申请能够有效提高半导体产品性能以及良率。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区包括： 第一器件区，所述第一器件区内形成有第一有源区，所述第一有源区形成有第一器件单元，所述第一器件单元用于提供第一类驱动电流； 第二器件区，与所述第一器件区在所述第一导电类型阱区的长度方向上相连，所述第二器件区内形成有第二有源区，所述第二有源区形成有第二器件单元，所述第二器件单元用于提供第二类驱动电流，所述第二类驱动电流的电流值高于所述第一类驱动电流的电流值；所述第一器件区与所述第二器件区的阱区宽度相同； 所述第一器件单元包括多个晶体管，且所述第二器件单元包括多个晶体管；所述第一导电类型阱区的长度方向为行方向，所述第一器件单元内的多个晶体管与所述第二器件单元内的多个晶体管呈多行多列排布； 所述第一有源区宽度与所述第二有源区宽度相同；所述第二器件单元中的晶体管的阈值电压低于所述第一器件单元中的晶体管的阈值电压。
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