武汉新芯集成电路制造有限公司罗旖旎获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利Nor Flash及其擦除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115762609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211551462.3，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权Nor Flash及其擦除方法是由罗旖旎设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本Nor Flash及其擦除方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种NorFlash及其擦除方法，该擦除方法通过具有更低阈值电压的第一过擦除矫正电压对容量更大的第一存储部进行过擦除矫正，相较于以具有更高阈值电压的第二过擦除矫正电压对容量更大的第一存储部进行过擦除矫正，由于第一过擦除矫正电压更小，能够更快地达到第一过擦除矫正电压，从而缩短了过擦除矫正的完成时间，进而减少了过擦除矫正所需要的时间。
本发明授权Nor Flash及其擦除方法在权利要求书中公布了：1.一种NorFlash的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法包括： 构造所述NorFlash包括第一存储部和第二存储部，所述第一存储部中存储单元的数量大于所述第二存储部中存储单元的数量； 以第一过擦除矫正电压作为所述第一存储部执行过擦除矫正的目标电压； 以第二过擦除矫正电压作为所述第二存储部执行过擦除矫正的目标电压，所述第二过擦除矫正电压大于所述第一过擦除矫正电压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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