中国科学院微电子研究所许高博获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种硅基探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211419156.4，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种硅基探测器及其制备方法是由许高博;闫乙男;殷华湘;丁明正;孙朋设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅基探测器，其在不改变衬底厚度的前提下对器件的p+注入区进行设计和处理，并进行碳注入，增加产生电子‑空穴对以及产生雪崩效应的面积，从而增大器件的击穿电压，提高器件的抗辐照性能。另外，本发明引入了深沟槽环状隔离结构。与传统硅基探测器相比，不需要通过离子注入得到保护环，减小了边缘电场对器件性能的影响，并且可以在形成阵列时拥有较小的死区面积，提高集成密度，进而提高探测效率。本发明还涉及所述硅基探测器的制备方法。
本发明授权一种硅基探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基探测器，其特征在于，包括： 衬底；所述衬底包括中心部分和边缘部分，并且所述边缘部分的上表面高度低于所述中心部分的上表面高度； 第一掺杂区，所述第一掺杂区为含碳的P型重掺杂区，设置在所述衬底的内部，并且所述第一掺杂区的下表面向内凹陷； 第二掺杂区，所述第二掺杂区为N型重掺杂区，设置在所述第一掺杂区上表面，并且所述第二掺杂区的上表面与所述衬底的上表面齐平； 上电极层，所述上电极层覆盖所述第二掺杂区的上表面； 钝化保护层，所述钝化保护层覆盖所述上电极层的部分表面；以及 下电极层，所述下电极层设置在所述衬底的下表面； 环状隔离层，设置在所述边缘部分的上表面，并且包围所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；所述环状隔离层的内侧壁与所述第一掺杂区的侧壁及所述第二掺杂区的侧壁均接触； 所述P型重掺杂区的P型离子掺杂浓度为1×1016~1×1020cm-3； 所述N型重掺杂区的N型离子掺杂浓度为1×1016~1×1020cm-3。
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