力旺电子股份有限公司赖宗沐获国家专利权
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龙图腾网获悉力旺电子股份有限公司申请的专利运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115705877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210931598.0，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法是由赖宗沐;吴孟权;张纬宸;林义琅设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法。本发明于电阻式存储单元阵列进行形成动作的过程，利用验证动作来判断电阻式存储单元是否成功完成形成动作。在本发明中，经由适当地改变形成脉冲的形成电压Vform或者脉冲宽度w，使得电阻式存储单元阵列中的所有电阻式存储单元皆能够成功地完成形成动作。
本发明授权运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法在权利要求书中公布了：1.一种运用于电阻式存储单元阵列的形成控制方法，该电阻式存储单元阵列中包括m个电阻式存储单元，且m为正整数，该形成控制方法包括下列步骤： 步骤a设定i等于1； 步骤b提供初始的形成电压； 步骤c以该形成电压产生形成脉冲，并对该电阻式存储单元阵列中的第i电阻式存储单元进行形成动作； 步骤d对该第i电阻式存储单元进行验证动作，并判断该第i电阻式存储单元是否通过该验证动作； 步骤e当该第i电阻式存储单元未通过该验证动作且运用于该第i电阻式存储单元的该形成电压未到达预定改变次数时，提高该形成电压后，执行该步骤c； 步骤f当该第i电阻式存储单元未通过该验证动作且运用于该第i电阻式存储单元的该形成电压到达该预定的改变次数时，将i加1后，执行该步骤c； 步骤g当该第i电阻式存储单元通过该验证动作且i不等于m时，将i加1后，执行该步骤c；以及 步骤h当该第i电阻式存储单元通过该验证动作且i等于m时，完成该形成控制方法。
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