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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利一种半导体器件的电性能测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692227B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211328012.8，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种半导体器件的电性能测试方法是由杨劲松;潘冬;罗虎臣;罗文治设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的电性能测试方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的电性能测试方法，该制备方法包括：在第一基体的第一表面形成第一线路层；在第一线路层背离第一基体的一侧形成第一测试焊盘，第一测试焊盘与第一线路层中的部分线路电连接；通过第一测试焊盘获得第一线路层的电性能；去除第一测试焊盘。通过上述方式，可以将第一测试焊盘作为临时扎针焊盘，实现在半导体器件加工的前道工序或者中间工序中实时检测各结构层的电性能。

本发明授权一种半导体器件的电性能测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的电性能测试方法，其特征在于，包括： 在第一基体的第一表面形成第一线路层； 对所述第一线路层背离所述第一基体的一侧进行羟基化处理； 去除羟基化处理之后的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧表面的氧化层； 在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述第一线路层中的部分线路电连接； 通过所述第一测试焊盘获得所述第一线路层的电性能； 去除所述第一测试焊盘； 其中，所述去除所述第一测试焊盘的步骤之后，包括： 在所述第一线路层背离所述第一基体一侧形成第二线路层； 将所述第二线路层作为所述第一线路层，并返回至在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘的步骤； 其中，所述第一基体包括芯片区和测试区； 所述在所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成第一测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述第一线路层中的部分线路电连接的步骤包括：在位于所述测试区的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成所述第一测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述测试区中的线路电连接，和，在位于所述芯片区的所述第一线路层背离所述第一基体的一侧形成所述第一测试焊盘，所述第一测试焊盘与所述芯片区中的线路电连接； 以及，在所述去除所述第一测试焊盘的步骤之后包括：在所述第一线路层背离所述基体的表面上电镀金属，对所述金属进行光刻，直至在所述测试区背离所述基体的一侧形成第二测试焊盘，所述第二测试焊盘与所述测试区中的所述线路电连接，其中，所述第二测试焊盘最终被保留在所述测试区中。

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