微软技术许可有限责任公司G·C·加德纳获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利利用离子注入进行SAG纳米线生长获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115668453B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180037812.1，技术领域涉及：H10P30/20；该发明授权利用离子注入进行SAG纳米线生长是由G·C·加德纳;S·V·格罗宁;R·L·卡拉赫尔;M·J·曼弗拉设计研发完成，并于2021-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用离子注入进行SAG纳米线生长在说明书摘要公布了：本公开涉及一种纳米线结构，其包括具有衬底本体和离子注入区域的衬底、在衬底之上的具有开口的图案化掩模、以及纳米线。在此，衬底本体由导电材料形成，并且从衬底本体的顶表面延伸到衬底本体中的离子注入区域是电绝缘的。衬底本体的表面部分通过图案化掩模的开口被暴露，而离子注入区域被图案化掩模完全覆盖。纳米线直接形成于衬底本体的暴露表面部分之上，并且不与离子注入区域接触。此外，纳米线被限制在离子注入区域内，使得离子注入区域被配置为在衬底中提供纳米线的导电屏障。
本发明授权利用离子注入进行SAG纳米线生长在权利要求书中公布了：1.一种纳米线结构，包括： 衬底，包括衬底本体和离子注入区域，其中： 所述衬底本体由导电材料形成；并且 所述离子注入区域是电绝缘的并且从所述衬底本体的顶表面延伸到所述衬底本体中； 设置在所述衬底之上的图案化掩模，其中： 所述图案化掩模包括开口，所述衬底本体的所述顶表面的表面部分通过所述开口被暴露；并且 所述图案化掩模完全覆盖所述离子注入区域；以及 纳米线，通过所述图案化掩模的所述开口直接形成在所述衬底本体的暴露的所述表面部分之上，其中： 所述纳米线不与所述离子注入区域接触；并且 所述纳米线被限制在所述离子注入区域内，使得所述离子注入区域被配置为在所述衬底中提供所述纳米线的导电屏障。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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