中国科学院半导体研究所魏钟鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115574942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211224131.9，技术领域涉及：G01J4/04；该发明授权偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法是由魏钟鸣;王小宇;杨珏晗;沈国震;文宏玉设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
本发明授权偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法在权利要求书中公布了：1.一种偏振放大系统，其特征在于，包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中： 所述偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于所述第一硅片基底上的第一源电极、第一有源层和第一漏电极，所述第一源电极和第一漏电极均为金属材料； 所述晶体管包括第二硅片基底，以及位于所述第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，所述第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料； 所述偏振探测器的第一漏电极与所述参考电阻电连接，并共同连接至所述晶体管的栅电极； 其中，所述第一有源层为GeSe二维半导体材料，所述第二有源层为MoS2二维半导体材料，所述偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
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