苏州苏纳光电有限公司刘林韬获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州苏纳光电有限公司申请的专利高深宽比TSV结构、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115573009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211270222.6，技术领域涉及：C25D7/12；该发明授权高深宽比TSV结构、其制备方法与应用是由刘林韬设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本高深宽比TSV结构、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高深宽比TSV结构、其制备方法与应用。所述制备方法包括：提供孔洞结构，孔洞结构的深宽比大于2且孔径小于100um；采用脉冲反向电沉积的方法在孔洞结构中形成TSV结构，脉冲反向电沉积包括正向电流和反向电流，正向电流的电流密度在1.0mAcm2以下。本发明所提供的制备方法通过脉冲反向电沉积的方式消除掉通孔开口处的凸起物，进而沉积出致密的TSV结构，在脉冲反向电沉积中，设置特定的沉积条件和过程，进而实现对于高深宽比以及小直径的空洞结构的充分填充，进而避免了空洞的形成。本发明所提供的制备方法可以被广泛应用于各种MEMS器件和半导体器件的加工制作流程中，具有广泛的应用前景。
本发明授权高深宽比TSV结构、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种高深宽比TSV结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供孔洞结构，所述孔洞结构的深宽比大于2且孔径小于100um； 采用脉冲反向电沉积的方法在所述孔洞结构中填充金属，形成TSV结构，其中，所述脉冲反向电沉积包括周期性循环的正向电流和反向电流，所述正向电流的时间与反向电流的时间之比为1：7-11，所述正向电流的时间为1-3s，反向电流的时间为9-27s，所述正向电流的电流密度为0.2-0.8mAcm2，所述反向电流的电流密度小于所述正向电流的电流密度，所述正向电流与反向电流的比值与深宽比的相关关系为：深宽比=0.8~1.2×正向电流反向电流-1。
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