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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115568215B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211152937.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器是由邵光速设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器，半导体存储结构包括：衬底；写晶体管，设置在衬底上，写晶体管包括沿第一方向延伸的第一铟镓锌氧化物结构，第一方向为垂直衬底顶面的方向；存储节点，设置在写晶体管上，且嵌合于第一铟镓锌氧化物结构端部；读晶体管，设置在存储节点上，读晶体管包括第二铟镓锌氧化物结构，第二铟镓锌氧化物结构设置在存储节点上，且与存储节点绝缘，存储节点作为读晶体管的栅极。上述技术方案，通过采用冠状的所述存储节点，嵌合于所述第一铟镓锌氧化物结构端部，扩大了接触面积，使导通效率更高，传输信号的性能更稳定。

本发明授权半导体存储结构及其制备方法以及半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储结构，其特征在于， 包括： 衬底； 写晶体管，设置在所述衬底上，所述写晶体管包括沿第一方向延伸的第一铟镓锌氧化物结构，所述第一方向为垂直所述衬底顶面的方向； 存储节点，设置在所述写晶体管上，且嵌合于所述第一铟镓锌氧化物结构端部； 读晶体管，设置在所述存储节点上，所述读晶体管包括第二铟镓锌氧化物结构，所述第二铟镓锌氧化物结构设置在所述存储节点上，且与所述存储节点绝缘，所述存储节点作为所述读晶体管的栅极； 所述写晶体管包括： 写位线，设置在所述衬底表面且沿第二方向延伸，所述第二方向为平行于衬底顶面的方向，所述第一铟镓锌氧化物结构设置在所述写位线表面； 第一隔离层，设置在所述写位线表面，且环绕包围部分所述第一铟镓锌氧化物结构；写字线，设置在所述第一隔离层表面且沿第三方向延伸，所述写字线环绕包围部分所述第一铟镓锌氧化物结构，所述第二方向为平行于衬底顶面的方向，所述第二方向与所述第三方向相交； 第一栅极介质层，设置在所述写字线与所述第一铟镓锌氧化物结构之间； 第二隔离层，设置在所述写字线表面，所述存储节点设置在所述第二隔离层表面。

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