苏州汉天下电子有限公司唐滨获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州汉天下电子有限公司申请的专利一种电子装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211251796.9，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种电子装置及其制造方法是由唐滨;赖志国;杨清华设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种电子装置及其制造方法，该制造方法包括：提供一第一载体；在第一载体的第一表面上形成第一组件，第一组件包括电连接结构；提供一第二载体；在第二载体的第一表面上形成第一保护层；在第一保护层上形成第二组件；将第一组件和第二组件通过键合结构连接在一起；去除第二载体；在第一保护层中至少形成露出第一组件的电连接结构的第一开口；在第一保护层上形成封盖层；图形化封盖层，以在封盖层中至少形成第二开口，第二开口和所述第一开口相互贯通，第二开口不采用硅通孔工艺制备。
本发明授权一种电子装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一第一载体； 在所述第一载体的第一表面上形成第一组件，所述第一组件包括电连接结构； 提供一第二载体； 在所述第二载体的第一表面上形成第一保护层； 在所述第一保护层上形成第二组件； 将所述第一组件和所述第二组件通过键合结构连接在一起； 去除所述第二载体； 在所述第一保护层中至少形成露出所述第一组件的电连接结构的第一开口； 在所述第一保护层上形成封盖层； 图形化所述封盖层，以在所述封盖层中至少形成第二开口，所述第二开口和所述第一开口相互贯通，所述第二开口不采用硅通孔工艺制备； 所述封盖层与所述第二组件的背面之间形成有空腔，无需预先形成该空腔，所述第一组件和第二组件的另一面具有共用的密闭空腔区域。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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