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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115542621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147382.1，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权显示装置是由三宅博之;兼安诚设计研发完成，并于2016-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示装置在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。

本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 多个像素，所述多个像素中的一个像素包括：第一晶体管；第二晶体管；第一像素电极，与所述第一晶体管电连接；第二像素电极，与所述第二晶体管电连接；第一电容元件，与所述第一晶体管电连接；第三电容元件，与所述第一晶体管电连接；第二电容元件，与所述第二晶体管电连接；以及第四电容元件，与所述第二晶体管电连接， 所述显示装置包括： 第一导电层，具有用作所述第一晶体管的栅电极的区域、用作所述第二晶体管的栅电极的区域以及用作扫描线的区域； 第二导电层，具有与所述第一导电层相同的材料，并且具有用作所述第一电容元件的一个电极的区域； 第一绝缘层，具有与所述第一导电层的顶面接触的区域以及与所述第二导电层的顶面接触的区域； 半导体膜，位于所述第一绝缘层上，并且具有所述第一晶体管的沟道形成区域以及所述第二晶体管的沟道形成区域； 第三导电层，位于所述半导体膜上，并且具有用作所述第一晶体管的源电极及漏电极中的一个的区域、用作所述第二晶体管的源电极及漏电极中的一个的区域以及用作信号线的区域； 第四导电层，具有用作所述第一晶体管的源电极及漏电极中的另一个的区域以及用作所述第一电容元件的另一个电极的区域，并且具有与所述第一像素电极接触的区域； 第五导电层，具有用作所述第二晶体管的源电极及漏电极中的另一个的区域，并且具有与所述第二像素电极接触的区域； 第六导电层，具有与所述第三导电层、所述第四导电层以及所述第五导电层相同的材料；以及 第二绝缘层，具有与所述第三导电层的顶面接触的区域、与所述第四导电层的顶面接触的区域、与所述第五导电层的顶面接触的区域以及与所述第六导电层的顶面接触的区域， 在俯视图中，所述第六导电层具有在与所述第三导电层延伸的方向平行的方向上延伸的区域， 所述第一像素电极位于所述第二绝缘层的上方，并且具有隔着所述第四导电层与所述第二导电层重叠的区域以及隔着所述第六导电层与所述第二导电层重叠的区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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