长鑫存储技术有限公司严勋获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115527993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211228665.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制备方法是由严勋设计研发完成，并于2022-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括衬底；位线，包括伸入至所述衬底内的接触部和位于所述接触部顶部的主体部，所述主体部沿第一方向延伸，所述接触部的底部呈平面设置且沿第二方向具有第一尺寸，所述接触部的顶部沿所述第二方向具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一方向、所述第二方向和所述接触部的底部所在平面均平行于所述衬底所在平面，所述第一方向和所述第二方向相交；第一隔离结构，覆盖所述接触部的侧壁，所述第一隔离结构的底部呈平面设置，且所述第一隔离结构的底部和所述接触部的底部基本平齐。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 位线，包括伸入至所述衬底的接触孔内的接触部和位于所述接触部顶表面的主体部，所述主体部沿第一方向延伸，所述接触部的底面平行于所述衬底所在平面，所述接触部的底部沿第二方向具有第一尺寸，所述接触部的顶部沿所述第二方向具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一方向和所述第二方向相交且均平行于所述衬底所在平面； 第一隔离结构，位于所述衬底上表面且覆盖所述接触部的侧壁，所述第一隔离结构的底面平行于所述衬底所在平面，且所述第一隔离结构的底面和所述接触部的底面基本平齐； 其中，所述接触孔通过交替向所述衬底表面通入第一刻蚀气体和清洗气体所形成，所述第一刻蚀气体用于刻蚀所述衬底，所述清洗气体用于排出刻蚀过程中生成在所述接触孔内的副产物。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励