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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司申请的专利一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513305B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110684483.1，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用是由刘成法;陈达明;陈奕峰;张学玲;王子港;王倩;邹杨;王尧设计研发完成，并于2021-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用，所述晶体硅太阳电池包括依次设置的基底、薄膜层和电极；所述薄膜层包括第一薄膜区和第二薄膜区，所述第一薄膜区的厚度大于第二薄膜区的厚度；所述电极设置于第二薄膜区上并与基底形成接触。通过减薄与电极接触的第二薄膜区的厚度，在使第一薄膜区具有优异的钝化效果、光学性能和外观的情况下，改善电极与基底的接触电阻，减少电极区域的复合，使平均开路电压升高，并增加了非电极接触的第一薄膜区的光学性能及钝化性能的改善窗口。所述晶体硅太阳电池解决了电极烧蚀能力与薄膜成分及厚度不兼容的问题，有效提升了电池效率，且制备方法与丝网印刷高温烧结工艺兼容，可实现低成本大规模量产。

本发明授权一种晶体硅太阳电池及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池包括依次设置的基底、薄膜层和电极； 所述薄膜层包括第一薄膜区和第二薄膜区，所述第一薄膜区的厚度大于第二薄膜区的厚度；所述电极设置于第二薄膜区上并与基底形成接触； 所述基底的远离薄膜层的一侧还依次设置薄膜层B和电极B； 所述薄膜层B包括第三薄膜区和第四薄膜区，所述第三薄膜区的厚度大于第四薄膜区的厚度；所述电极B设置于第四薄膜区上并与基底形成接触； 所述第一薄膜区与第二薄膜区的厚度之差为50~490nm； 所述第三薄膜区与第四薄膜区的厚度之差为50~490nm； 所述晶体硅太阳电池的制备方法包括如下步骤：在基底的表面沉积薄膜，得到薄膜层；将所述薄膜层的部分区域进行减薄处理，形成第二薄膜区，未进行减薄处理的区域为第一薄膜区；在所述第二薄膜区上制备电极，烧结形成欧姆接触，得到所述晶体硅太阳电池； 所述薄膜层为氮化硅层的背面薄膜层；所述基底与背面薄膜层之间还设置有隧穿氧化层和多晶硅层。

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