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龙图腾网获悉深圳市卡贝电子技术有限公司申请的专利用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167322.6，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统是由谢宗营;谢颜童悦设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统在说明书摘要公布了：本申请涉及用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统，其包括基岛、设置于所述基岛上的第一MOS管和第二MOS管，以及密封所述基岛、所述第一MOS管和所述第二MOS管的塑封体，所述第一MOS管的栅极连接于所述第二MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极连接于所述第二MOS管的漏极。本申请具有节省空间、降低成本，且降低内阻的效果。

本发明授权用于汽车启动的MOS结构、制作方法及汽车启动系统在权利要求书中公布了：1.用于汽车启动的MOS结构，其特征在于：包括基岛10、设置于所述基岛10上的第一MOS管20和第二MOS管30，以及密封所述基岛10、所述第一MOS管20和所述第二MOS管30的塑封体40，所述第一MOS管20的栅极连接于所述第二MOS管30的栅极，所述第一MOS管20的漏极连接于所述第二MOS管30的漏极； 第一MOS管20与第二MOS管30一体成型，所述第一MOS管20包括第一P型衬底21、第一N型沟槽22、第二N型沟槽23、第一氧化层24、第一栅极金属层25、第一漏极延伸层26、第一源极金属层27和第一绝缘层28，所述第一P型衬底21的一侧固定于所述基岛10上，所述第一N型沟槽22开设于所述第一P型衬底21背离所述基岛10的一侧以形成第一源区50，所述第二N型沟槽23开设于所述第一P型衬底21背离所述基岛10的一侧以形成第一漏区51，所述第一氧化层24覆盖所述第一P型衬底21背离所述基岛10的一侧，所述第一源极金属层27与所述第一源区50相连，所述第一漏极延伸层26与所述第一漏区51相连，所述第一绝缘层28设置于所述第一源极金属层27和所述第一漏极延伸层26之间，所述第一栅极金属层25设置于所述第一绝缘层28上； 所述第二MOS管30包括第二P型衬底31、第三N型沟槽32、第四N型沟槽33、第二氧化层34、第二栅极金属层35、第二漏极延伸层36、第二源极金属层37和第二绝缘层38，所述第二P型衬底31的一侧固定于所述基岛10上，所述第三N型沟槽32开设于所述第二P型衬底31背离所述基岛10的一侧以形成第二源区52，所述第四N型沟槽33开设于所述第二P型衬底31背离所述基岛10的一侧以形成第二漏区53，所述第二氧化层34覆盖所述第二P型衬底31背离所述基岛10的一侧，所述第二源极金属层37与所述第二源区52相连，所述第二漏极延伸层36与所述第二漏区53相连，所述第二绝缘层38设置于所述第二源极金属层37和所述第二漏极延伸层36之间，所述第二栅极金属层35设置于所述第二绝缘层38上； 所述第一漏极延伸层26与所述第二漏极延伸层36一体成型。

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