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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种基于SOT-MRAM的读写方法、读写电路及SOT-MRAM获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948129B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111206952.5，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权一种基于SOT-MRAM的读写方法、读写电路及SOT-MRAM是由毕冲;赵倩文;刘明设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SOT-MRAM的读写方法、读写电路及SOT-MRAM在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于SOT‑MRAM的读写方法、读写电路及SOT‑MRAM。该读写方法包括：向SOT层通入写电流，以翻转磁性隧道结中自由层的磁化方向，使自由层与参考层的磁化方向处于平行态或反平行态；读取磁性隧道结的电容值；根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是处于第二状态。通过读取磁性隧道结的电容值，并根据磁性隧道结的电容值，判断磁性隧道结处于第一状态还是第二状态，实现对存储单元内的数据“0”和“1”的识别读取。采用磁电容式的SOT‑MRAM，对MTJ的生长条件、材料选择以及读取电路的灵敏度相对于电阻式SOT‑MRAM要求较低，使磁电容式SOT‑MRAM对磁性隧道结的生长条件和材料选择不像磁电阻式SOT‑MRAM那样苛刻，降低制造和读取SOT‑MRAM的难度。

本发明授权一种基于SOT-MRAM的读写方法、读写电路及SOT-MRAM在权利要求书中公布了：1.一种基于SOT-MRAM的读写方法，其中，所述SOT-MRAM包含有存储单元，所述存储单元包括SOT层、和设置在所述SOT层上的磁性隧道结，所述磁性隧道结包括设置在SOT层上的自由层、层叠在所述自由层上的绝缘层、和层叠在所述绝缘层上的参考层，其特征在于，所述SOT-MRAM为电容式SOT-MRAM，所述读写方法包括： 向所述SOT层通入写电流，以翻转所述磁性隧道结中自由层的磁化方向，使所述自由层与参考层的磁化方向处于平行态或反平行态； 读取所述磁性隧道结的电容值； 根据所述磁性隧道结的电容值的大小，采用阈值判断所述磁性隧道结处于第一状态还是处于第二状态，其包括：将所述磁性隧道结的电容值大于所述阈值时的状态确定为所述第一状态，将所述磁性隧道结的电容值小于所述阈值时的状态确定为所述第二状态； 其中，所述读取所述磁性隧道结的电容值包括： 向所述磁性隧道结通入振荡电流信号，获取所述磁性隧道结的振荡电流反馈信号； 根据所获取的振荡电流反馈信号，确定所述磁性隧道结的电容值。

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