美光科技公司A·查杜鲁获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110755882.2，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统是由A·查杜鲁;I·V·恰雷设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统在说明书摘要公布了：本申请涉及具有下凹导电结构的微电子装置以及相关方法和系统。微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构具有以层布置的绝缘结构和导电结构的垂直交替的序列。导电接触结构延伸穿过堆叠结构。绝缘材料位于所述导电接触结构和所述堆叠结构的所述层之间。在所述堆叠结构的下层部分中，所述多个导电结构中的一个导电结构具有在一对所述导电接触结构之间延伸第一宽度的部分。在所述下层部分上方的所述堆叠结构的一部分中，所述多个导电结构的另一导电结构具有在所述一对导电接触结构之间延伸第二宽度的另一部分。所述第二宽度大于所述第一宽度。还公开了相关的方法和电子系统。
本发明授权具有下凹导电结构的微电子装置及相关方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种微电子装置，包含： 堆叠结构，其包含以层布置的绝缘结构和导电结构的垂直交替的序列； 延伸穿过所述堆叠结构的导电接触结构；以及 在所述导电接触结构和所述堆叠结构的层之间的绝缘材料， 在所述堆叠结构的下层部分中，所述多个导电结构中的一个导电结构具有在一对所述导电接触结构之间延伸第一宽度的部分， 在所述下层部分上方的所述堆叠结构的一部分中，所述多个导电结构中的另一导电结构具有在所述导电接触结构对之间延伸第二宽度的另一部分，所述第二宽度大于所述第一宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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