高通股份有限公司俞欣旻获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利具有双向放大的移相器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113785490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080033135.1,技术领域涉及:H03H11/16;该发明授权具有双向放大的移相器是由俞欣旻;梁赖简设计研发完成,并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有双向放大的移相器在说明书摘要公布了:公开了一种装置,用于利用相位偏移进行双向放大。在示例实现中,一种装置包括具有双向放大器的移相器。双向放大器包括耦合在第一正节点606‑1P与第二负节点606‑2M之间的第一晶体管T1、耦合在第一负节点606‑1M与第二正节点606‑2P之间的第二晶体管T2、耦合在第一正节点606‑1P与第二负节点606‑2M之间的第三晶体管T3、以及耦合在第一负节点606‑1M与第二正节点606‑2P之间的第四晶体管T4。双向放大器还包括耦合在第一正节点606‑1P与第二正节点606‑2P之间的第五晶体管T5、耦合在第一负节点606‑1M与第二负节点606‑2M之间的第六晶体管T6、耦合在第一正节点606‑1P与第二正节点606‑2P之间的第七晶体管T7、以及耦合在第一负节点606‑1M与第二负节点606‑2M之间第八晶体管T8。
本发明授权具有双向放大的移相器在权利要求书中公布了:1.一种装置,包括: 移相器,包括: 第一正节点; 第一负节点; 第二正节点; 第二负节点;以及 双向放大器,包括: 第一晶体管,耦合在所述第一正节点与所述第二负节点之间,其中,所述第一晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点,并且所述第一晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点; 第二晶体管,耦合在所述第一负节点与所述第二正节点之间,其中,所述第二晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点,并且所述第二晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点; 第三晶体管,耦合在所述第一正节点与所述第二负节点之间,其中,所述第三晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点,并且所述第三晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点; 第四晶体管,耦合在所述第一负节点与所述第二正节点之间,其中,所述第四晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点,并且所述第四晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点; 第五晶体管,耦合在所述第一正节点与所述第二正节点之间,其中,所述第五晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点,并且所述第五晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点; 第六晶体管,耦合在所述第一负节点与所述第二负节点之间,其中,所述第六晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点,并且所述第六晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点; 第七晶体管,耦合在所述第一正节点与所述第二正节点之间,其中,所述第七晶体管的栅极端子被耦合到所述第一正节点,并且所述第七晶体管的漏极端子被耦合到所述第二正节点;以及 第八晶体管,耦合在所述第一负节点与所述第二负节点之间,其中,所述第八晶体管的栅极端子被耦合到所述第一负节点,并且所述第八晶体管的漏极端子被耦合到所述第二负节点。
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