英飞凌科技股份有限公司H-J·舒尔策获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利垂直功率半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517330B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110382152.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权垂直功率半导体器件及制造方法是由H-J·舒尔策;C·耶格;M·耶利内克;D·施勒格尔;B·施托伊布设计研发完成，并于2021-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直功率半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：提出了一种垂直功率半导体器件100。该垂直功率半导体器件100包括半导体本体102，其具有第一主表面104和沿着垂直方向y与第一主表面104相对的第二主表面106。垂直功率半导体器件100还包括半导体本体102中的漂移区108。漂移区108包括铂原子109。垂直功率半导体器件100还包括漂移区108与第二主表面106之间的半导体本体102中的场停止区110。场停止区110包括多个杂质峰P1、P2。多个杂质峰P1、P2中的第一杂质峰P1具有比多个杂质峰P1、P2中的第二杂质峰P2更大的浓度c。第一杂质峰P1包括氢，而第二杂质峰P2包括氦。
本发明授权垂直功率半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直功率半导体器件，包括： 半导体本体，具有第一主表面和沿着垂直方向与所述第一主表面相对的第二主表面； 漂移区，在所述半导体本体中，其中，所述漂移区包括铂原子； 场停止区，在所述漂移区与所述第二主表面之间的所述半导体本体中，其中，所述场停止区包括多个杂质峰，并且所述多个杂质峰中的第一杂质峰具有比所述多个杂质峰中的第二杂质峰更大的浓度，并且其中，所述第一杂质峰包括氢，而所述第二杂质峰包括氦， 其中，所述多个杂质峰中的第三杂质峰设置在离所述第二主表面第三垂直距离处，所述第三垂直距离不同于所述第二杂质峰相对于所述第二主表面的第二垂直距离，并且其中，所述第三杂质峰包括氢， 其中，所述多个杂质峰中的第四杂质峰包括氦，并且设置在离所述第二主表面第四垂直距离处，其中，所述第三垂直距离在所述第二垂直距离与所述第四垂直距离之间。
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