三星电子株式会社鲁知艺获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有字线分隔层的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113097213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010951488.1，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权具有字线分隔层的半导体装置是由鲁知艺;林珍洙;张大铉;千志成;洪祥准设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有字线分隔层的半导体装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：外围电路结构，设置在基底上；下堆叠件和上堆叠件，下堆叠件设置在外围电路结构上，上堆叠件设置在下堆叠件上，下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线；多个沟道结构，在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件；一对分隔绝缘层，竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且在水平方向上延伸，所述一对分隔绝缘层在竖直方向上彼此间隔开；以及字线分隔层，设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层交叉，字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。
本发明授权具有字线分隔层的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，包括单元阵列区和连接区，连接区包括贯穿硅过孔区； 外围电路结构，设置在基底上； 下堆叠件和上堆叠件，下堆叠件设置在外围电路结构上，上堆叠件设置在下堆叠件上，下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线； 多个沟道结构，在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件； 多个虚设沟道结构，在连接区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件； 一对分隔绝缘层，竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且遍及单元阵列区和连接区在第一方向上延伸，第一方向是从单元阵列区朝向连接区延伸的方向，所述一对分隔绝缘层在与第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开；以及 字线分隔层，在连接区中设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层垂直，字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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