三星电子株式会社金一宇获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造竖直存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111223869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910869953.4，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权制造竖直存储器装置的方法是由金一宇;安相基;表炫坤;金益秀;朴嬉淑;任智芸设计研发完成，并于2019-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造竖直存储器装置的方法在说明书摘要公布了：在制造竖直存储器装置的方法中，包括氮化物的第一牺牲层形成在衬底上。在第一牺牲层上形成模具，模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层。绝缘层和第二牺牲层分别包括第一氧化物和第二氧化物。穿过模具和第一牺牲层形成沟道。穿过模具和第一牺牲层形成开口以暴露出衬底的上表面。通过开口去除第一牺牲层，以形成第一间隙。形成沟道连接图案以填充第一间隙。将第二牺牲层替换为栅电极。
本发明授权制造竖直存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造竖直存储器装置的方法，所述方法包括： 在衬底上形成第一牺牲层，其中所述第一牺牲层包括氮化物； 在所述第一牺牲层上形成模具，所述模具包括交替且重复堆叠的绝缘层和第二牺牲层，其中所述绝缘层包括第一氧化物，并且所述第二牺牲层包括氧化锗或者掺有锗的氧化硅； 形成穿过所述模具和所述第一牺牲层的沟道； 形成穿过所述模具和所述第一牺牲层以暴露出所述衬底的上表面的开口； 通过所述开口去除所述第一牺牲层，以形成第一间隙； 在所述第一间隙中形成沟道连接图案；以及 将所述第二牺牲层替换为栅电极， 其中，所述沟道连接图案包括掺有杂质的多晶硅， 其中，在形成所述模具之前，所述方法还包括： 形成支承图案，所述支承图案的上表面与所述第一牺牲层的上表面共面，其中，所述支承图案包括与所述第一牺牲层不同的材料；以及 在所述第一牺牲层和所述支承图案上形成支承层，其中，所述支承层包括未掺杂或掺杂的多晶硅。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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