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龙图腾网获悉中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)申请的专利一种碳化硅MOSFET结终端结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165046U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521169633.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种碳化硅MOSFET结终端结构是由吴登昊;陈航;李欢设计研发完成，并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅MOSFET结终端结构在说明书摘要公布了：一种碳化硅MOSFET结终端结构，属于半导体器件技术领域。包括第一钝化层，N‑漂移区，N+衬底，阴极金属电极层，Pwell元胞过渡区，Pplus主结区，Pplus场限环区，Pwell主结区，Pwell场限环区，JTE主结区，JTE场限环区，阳极金属电极层，第二钝化层。Pwell元胞过渡区、Pplus主结区、Pplus场限环区、Pwell主结区、Pwell场限环区、JTE主结区、JTE场限环区从左到右依次制作在N‑漂移区的上面。每两个结终端扩展结构的交界区域为场限环。解决了现有碳化硅MOSFET的场限环结构占用面积大和结终端扩展结构工艺复杂的问题。广泛应用于碳化硅MOSFET设计与制造技术中。

本实用新型一种碳化硅MOSFET结终端结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅MOSFET结终端结构，其特征在于： 包括第一钝化层1，N-漂移区2，N+衬底3，阴极金属电极层4，Pwell元胞过渡区5，Pplus主结区6，Pplus场限环区7，Pwell主结区8，Pwell场限环区9，JTE主结区10，JTE场限环区11，阳极金属电极层12，第二钝化层13； 所述阴极金属电极层4位于N+衬底3的底面； 所述N-漂移区2位于N+衬底3的顶面； 所述Pwell元胞过渡区5、Pplus主结区6、Pplus场限环区7、Pwell主结区8、Pwell场限环区9、JTE主结区10、JTE场限环区11从左到右依次制作在N-漂移区2的上面，Pwell元胞过渡区5与Pplus主结区6相邻，Pplus场限环区7与Pwell主结区8相邻，Pwell场限环区9与JTE主结区10相邻； 所述第一钝化层1制作在Pwell元胞过渡区5和部分Pplus主结区6的上方； 所述第二钝化层13制作在部分Pplus主结区6、Pplus场限环区7、Pwell主结区8、Pwell场限环区9、JTE主结区10和JTE场限环区11的上方； 所述阳极金属电极层12制作在部分Pplus主结区6的上方，位于第一钝化层1与第二钝化层13之间。

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