上海深明奥思半导体科技有限公司朱志龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海深明奥思半导体科技有限公司申请的专利一种2T1FC铁电存储单元和存储器阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224165044U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521615557.6，技术领域涉及：H10B53/30；该实用新型一种2T1FC铁电存储单元和存储器阵列是由朱志龙设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种2T1FC铁电存储单元和存储器阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及存内计算存储器技术领域，尤其涉及一种2T1FC铁电存储单元和存储器阵列。所述2T1FC铁电存储单元，包括：硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区，所述有源器件区上形成有存储晶体管和控制晶体管，所述控制晶体管的源极与所述存储晶体管的漏极连接，所述存储晶体管的栅极堆叠上形成有存储栅极线，所述存储栅极线上形成有铁电电容器。本申请的2T1FC铁电存储单元，使用一条专用存储栅极线，防止2T1FC铁电存储单元写入后自发电荷耗散，增强了数据保留能力。
本实用新型一种2T1FC铁电存储单元和存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种2T1FC铁电存储单元，其特征在于，包括： 硅衬底，所述硅衬底上设有有源器件区，所述有源器件区上形成有存储晶体管和控制晶体管，所述控制晶体管的源极与所述存储晶体管的漏极连接，所述存储晶体管的栅极堆叠上形成有存储栅极线，所述存储栅极线上形成有铁电电容器。
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