北京青耘科技有限公司董俞鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利存储计算芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120909983B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511021835.X，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权存储计算芯片及其制造方法是由董俞鹏设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储计算芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储计算芯片及其制造方法，其通过硅通孔将具有计算处理器的逻辑芯片、缓冲器芯片和DRAM芯片或DRAM芯片堆叠体三者垂直堆叠起来，且片间可以直接通过硅通孔通讯，能够节省芯片面积，集成度高，降低晶圆加工难度，逻辑芯片可以通过缓冲器芯片大量并行访问低速DRAM芯片，提供高带宽以及大容量的缓存，而且缓冲器芯片与逻辑芯片之间不需要物理层接口来完成片间通信，大量减少了硬件资源的开销。
本发明授权存储计算芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储计算芯片，其特征在于，包括依次垂直堆叠的逻辑芯片、缓冲器芯片以及至少一层DRAM芯片，所述逻辑芯片和所述缓冲器芯片之间、所述缓冲器芯片与所述DRAM芯片之间均通过硅通孔和混合键合层直连； 其中，所述逻辑芯片中有计算处理器，所述缓冲器芯片内部设有内存控制器和与所述内存控制器通信的多个并行的片间通信总线接口，每个所述片间通信总线接口通过若干硅通孔与所述计算处理器连接，所述内存控制器通过若干硅通孔和混合键合层与所述DRAM芯片连接， 其中，所述片间通信总线接口的工作频率是所述DRAM芯片的工作频率的多倍，所述片间通信总线接口的数据位宽是所述DRAM芯片的IO接口的数据位宽的多倍，所述计算处理器的数据位宽是所述片间通信总线接口的数据位宽的多倍，所述逻辑芯片直接通过所述内存控制器与多个所述片间通信总线接口直接并行通信，以并行地调用所述DRAM芯片的IO接口，达到所述DRAM芯片与所述逻辑芯片之间通信的要求带宽。
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