华中科技大学王智强获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120545270B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510675553.5，技术领域涉及：H10W40/47；该发明授权一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构是由王智强;满春阳;周逸敏;孔武斌;姚永刚设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构在说明书摘要公布了：本发明属于散热技术领域，公开了一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构，包括：并联SiC模块基板、射流冲击散热底板、射流冲击扰流板、通孔、流体出口、密封槽、流体入口、螺纹孔、水冷板、微通道结构、上部扰流板、下部扰流板；本发明采用本射流冲击结构相比传统的射流结构，可以大幅降低系统的复杂性，简化系统的装配和设计，同时还可以，使得系统的功率密度和可靠性。此外，相较于传统的集成式Pin‑Fin散热器可以降低系统的结流热阻，提升散热效率。相较于传统的射流冲击散热结构，本发明的新型射流结构简化了结构的复杂性，使得结构更加紧凑和易于加工，相比传统的Pin‑Fin散热结构却具有更低的热阻，更好的适用于高功率密度电力电子变换器的应用需求。
本发明授权一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于高功率密度SiC功率器件的高效散热结构，其特征在于，包括并联SiC模块基板、射流冲击散热底板、射流冲击扰流板、设置在射流冲击散热底板下方并沿底板表面等距排列的微通道结构、水冷板、贯通射流冲击散热底板与水冷板的通孔以及螺纹孔、设置在水冷板两侧的流体入口、流体出口和密封槽；其中并联SiC模块基板通过焊接连接于射流冲击散热底板，射流冲击散热底板由铜材制成并经整体镀镍处理，水冷板借助螺栓穿设通孔与螺纹孔并与射流冲击散热底板压紧配合，密封槽内嵌设O型密封圈； 射流冲击扰流板由上部扰流板和下部扰流板组成，上部扰流板与下部扰流板之间形成喷射通道； 上部扰流板的顶面在中心区域开设方形槽，方形槽与微通道结构在投影方向上对应对齐。
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