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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备及溅射方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400781B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510669826.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备及溅射方法是由赵晓天;刘伟;李春昊;杨浩;刘龙;张志东设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备及溅射方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备及溅射方法，具体涉及薄膜制备技术领域。一种含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备，包括：反应腔室，由腔体壁、腔体底和腔体盖组成；腔体底设有四个倾斜两寸靶材磁控溅射组件和两个水平四寸靶材磁控溅射组件；所述水平组件包括水平放置靶材和磁体承载部、供电和水冷却装置和水平靶位传动杆。一种溅射方法，包括：a启动原位加热装置；b控制传动电机驱动水平放置靶材和磁体承载部；c激活供电和水冷却装置进行共溅射；d溅射后停止供电。本发明提升溅射与沉积效率，保障并优化薄膜质量，契合工业化生产需求，增强工艺灵活性，适应不同类型薄膜的制备需求。

本发明授权含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备及溅射方法在权利要求书中公布了：1.一种含高速率磁控溅射靶枪的多靶位共溅射设备，其特征在于，包括：反应腔室，由腔体壁6、腔体底7和腔体盖3组成；所述腔体盖3通过结构固定件1固定电机传动装置2，其传动部分贯穿腔体盖3和下方原位加热装置4，并通过卡口连接待镀膜基片5的样品托盘，原位加热装置4与待镀膜基片5中间为原位加热装置保护挡板22，通过卡口与原位加热装置4连接； 腔体底7设有四个倾斜两寸靶材磁控溅射组件和两个水平四寸靶材磁控溅射组件；所述两寸靶材磁控溅射组件包括倾斜放置靶材和磁体承载部10及与其连接的供电和水冷却装置11，所述供电和水冷却装置11通过真空保护件12固定于腔体底7，并通过腔体底与供电和水冷装置连接窗口14延伸至外部；所述水平组件包括水平放置靶材和磁体承载部9、供电和水冷却装置11和水平靶位传动杆8，且水平靶位传动杆8由传动电机19驱动，并通过基座21固定； 腔体底7中央设有激光退火窗口15，与外部激光退火装置连通；腔体壁6设有进气口13，用于通入溅射所用的Ar或O2； 所述腔体盖3与腔体底7之间高度为0-800mm可调，所述原位加热装置4与腔体底7之间高度为300-700mm可调，倾斜放置靶材和磁体承载部10与腔体底7之间高度为0-700mm可调；所述激光退火窗口15通过石英和真空密封件与腔体底7连接，且能量密度为1-5Jcm2。

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