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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利阵列基板及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311629469.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示装置是由高志坤;张方振;任锦宇;王锦谦设计研发完成，并于2023-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板及显示装置在说明书摘要公布了：一种阵列基板及显示装置。所述阵列基板包括衬底、晶体管、数据线以及第一电极；至少一个晶体管包括有源层和栅极，有源层包括沟道区、第一区和第二区，沟道区与栅极在衬底的正投影交叠；阵列基板还包括栅绝缘层，栅绝缘层位于有源层远离衬底的一侧，且栅绝缘层靠近衬底一侧的部分表面与有源层远离衬底一侧的部分表面接触；栅绝缘层具有多个过孔，且至少一条数据线经由一个过孔与第一区电连接，至少一个第一电极经由另一个过孔与第二区电连接；过孔具有相对设置的顶端和底端，且底端相比顶端靠近有源层；底端在衬底的正投影与沟道区在衬底的正投影的边界之间存在最小间隔，最小间隔大于2.5微米，可以解决现有晶体管性能不稳定等问题。

本发明授权阵列基板及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的至少一个晶体管、设置在所述衬底上的至少一条数据线以及设置在所述衬底上的至少一个第一电极；所述至少一个晶体管包括有源层和栅极，所述有源层包括沟道区以及位于所述沟道区相对两侧的第一区和第二区，所述沟道区与所述栅极在所述衬底的正投影交叠； 在垂直所述阵列基板的平面内，所述阵列基板还包括栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述衬底的一侧，且所述栅绝缘层靠近所述衬底一侧的部分表面与所述有源层远离所述衬底一侧的部分表面接触； 所述栅绝缘层具有多个过孔，且所述至少一条数据线经由一个所述过孔与所述第一区电连接，所述至少一个第一电极经由另一个所述过孔与所述第二区电连接；所述过孔具有相对设置的顶端和底端，且所述底端相比所述顶端靠近所述有源层；所述底端在所述衬底的正投影与所述沟道区在所述衬底的正投影的边界之间存在最小间隔，所述最小间隔大于2.5微米； 在垂直所述阵列基板的平面内，所述阵列基板还包括第一导电层和第二导电层；所述第一导电层位于所述有源层靠近所述衬底的一侧，且所述第二导电层位于所述有源层远离所述衬底的一侧；所述第一导电层包括所述至少一条数据线，所述第二导电层包括至少一个所述栅极；所述第二导电层还包括至少一个像素连接电极，所述至少一个像素连接电极的至少部分位于所述过孔之内，且所述至少部分与所述有源层接触；所述至少一个第一电极的部分与所述像素连接电极电连接；或者，在垂直所述阵列基板的平面内，所述阵列基板还包括转接层，所述转接层位于所述第二导电层远离所述衬底的一侧；所述转接层包括至少一个像素连接电极，所述至少一个像素连接电极的至少部分位于所述过孔之内，且所述至少部分与所述有源层接触；所述至少一个第一电极的部分与所述像素连接电极电连接。

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