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龙图腾网获悉闽江学院申请的专利一种基于激光直写技术的CdS/TiO2/石墨烯电极的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117630127B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310271620.8，技术领域涉及：G01N27/327；该发明授权一种基于激光直写技术的CdS/TiO2/石墨烯电极的制备方法及应用是由邱桢丽;陈毅挺;薛祥航;李艳霞;黄露设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于激光直写技术的CdS/TiO2/石墨烯电极的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于激光直写技术的CdSTiO2Graphene电极制备方法及其应用。首先合成乙酰丙酮镉粉末、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜复合物，由纳米激光作用仪进行激光直写，形成CdSTiO2GrapheneITO电极，最后将负载上黄曲霉毒素B1的适配体并加入黄曲霉毒素B1孵育的CdSTiO2GrapheneITO电极组装为双电极体系，进而对黄曲霉毒素B1进行测试。本发明设计的原料易得，制备工艺简单，在化学传感过程中无需提供外部电压。比率式传感器对痕量的黄曲霉毒素B1具有灵敏的响应，且大大减小环境因素对传感过程的影响，稳定性高。本发明为检测黄曲霉毒素B1提供了一种高灵敏且性能稳定的新方法。

本发明授权一种基于激光直写技术的CdS/TiO2/石墨烯电极的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种基于激光直写技术的CdSTiO2石墨烯电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、制备前驱体电极：将乙酰丙酮镉粉末、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜浸入DMF溶剂中，在室温下超声处理30-60分钟将粉末溶解，搅拌一定时间以充分混合，得到前驱体溶液；将ITO导电玻璃用去离子水、丙酮、无水乙醇依次超声清洗20分钟，干燥后使用；将具有两部分0.8cm×2cm缺口的胶带贴在ITO电极导电面上，然后滴入一定体积前驱体溶液于ITO电极导电面，在匀胶机中以1000-3000rpm悬涂30-180秒，在80℃下烘干1-12小时，得到前驱体电极，缺口标记为区域1与区域2； 步骤2、完成激光直写复合材料电极的制备：将前驱体电极置于纳米激光仪下，在相应配套控制软件中绘制加工图案，设置扫描速度，调整激光器输出功率，进行激光直写，冷却至室温后，得到CdSTiO2石墨烯电极，其中，光诱导CdSTiO2石墨烯电极，是以ITO导电玻璃为基底，将乙酰丙酮镉、乙酰丙酮氧化钛与聚醚砜经过激光直写后所形成的复合材料，具体成分比例：Cd2+与Ti4+的摩尔比为0.25-1.5，乙酰丙酮镉与聚醚砜的质量比为0.1-0.6。

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