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龙图腾网获悉清华大学申请的专利存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路和操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117577151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311657064.4，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路和操作方法是由吴华强;魏秋萌;姚鹏;伍冬;高滨;唐建石;钱鹤设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路和操作方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路、操作方法。该存储单元包括n个权重单元以及横向选通管。n个权重单元中的每个包括第一忆阻器元件和第一开关元件，第一忆阻器元件的第一电极与第一开关元件的第一极电连接，第一忆阻器元件的第二电极作为对应的权重单元的第二端且用于接收第一位线信号，n个权重单元的第一开关元件的第二极分别用作对应的权重单元的第一端且彼此电连接，并与横向选通管的第一端电连接，各个第一开关元件的控制极分别用于接收不同的第一字线信号，横向选通管的第二端用于接收源线信号，横向选通管的控制端用于接收第二字线信号。

本发明授权存储单元、忆阻器阵列、存算一体电路和操作方法在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器阵列，包括： 多个存储单元，其中，所述多个存储单元沿第一方向和第二方向排列为m个存储单元行和p个存储单元列，m和p为正整数； p组第一字线，沿所述第二方向延伸，且与所述p个存储单元列一一对应连接，其中，所述p组第一字线中的每组包括n条第一字线，所述n条第一字线中的每条与所对应的一个存储单元列的第一开关元件的控制极电连接； m条第二字线，沿所述第一方向延伸，且与所述m个存储单元行一一对应连接，其中，所述m条第二字线中的每条与所对应的一个存储单元行的横向选通管的控制端电连接； p条源线，沿所述第二方向延伸，且与所述p个存储单元列一一对应连接，其中，所述p条源线中的每条与所对应的一个存储单元列的横向选通管的第二端电连接； m条第一位线，沿所述第一方向延伸，且与所述m个存储单元行一一对应连接，其中，所述m条第一位线中的每条与所对应的一个存储单元行的第一忆阻器元件的第二电极电连接， 其中，所述多个存储单元中的每个包括： n个权重单元，其中n为正整数，所述n个权重单元中的每个包括第一忆阻器元件和第一开关元件，所述第一忆阻器元件包括第一电极和第二电极，所述第一开关元件包括控制极、第一极和第二极； 横向选通管，包括控制端、第一端和第二端， 其中，所述第一忆阻器元件的第一电极与所述第一开关元件的第一极电连接，所述第一忆阻器元件的第二电极作为对应的权重单元的第二端且用于接收第一位线信号，所述n个权重单元的第一开关元件的第二极分别用作对应的权重单元的第一端且彼此电连接，并与所述横向选通管的第一端电连接，各个所述第一开关元件的控制极分别用于接收不同的第一字线信号，所述横向选通管的第二端用于接收源线信号，所述横向选通管的控制端用于接收第二字线信号，所述横向选通管被配置为响应于所述第二字线信号，控制对应的权重单元与源线之间的通断。

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