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龙图腾网获悉上海电缆研究所有限公司申请的专利一种浇注料及其制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117486625B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311457141.1，技术领域涉及：C04B35/66；该发明授权一种浇注料及其制备方法及应用是由李福;仇爽;张兆;谢历;彭博设计研发完成，并于2023-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浇注料及其制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及材料技术领域，具体涉及一种浇注料及其制备方法及应用。一种浇注料，按重量份计包括：有机硅树脂：100份；第一煅烧填料：40～220份；第二煅烧填料：0.5～2份。本发明提供的材料具有成型后填充材料均匀分布、高温下内应力小、热膨胀系数低、极高的耐高温性能300℃长期使用和耐辐照性能γ射线10000kGy，以及优秀的综合物性和加工性能。

本发明授权一种浇注料及其制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种浇注料，其特征在于，按重量份计包括： 有机硅树脂100份； 第一煅烧填料40～220份； 第二煅烧填料0.5～2份； 分散剂0.2～1份； 消泡剂0.2～1份； 其中，有机硅树脂选自聚烷基有机硅树脂、聚芳基有机硅树脂、聚烷基芳基有机硅树脂中的一种或多种； 所述分散剂选自聚乙烯吡咯烷酮PVP和羟基磷酸钙的混合物；其中，所述聚乙烯吡咯烷酮PVP和羟基磷酸钙的质量比为3：2～2：1； 所述消泡剂选自硅油型有机硅消泡剂； 所述第一煅烧填料包括第一组分和第二组分； 第一煅烧填料中第一组分的制备过程为： 1在50℃～90℃下，将聚甲基乙烯基氢硅氧烷树脂、二氧化硅粉、三氧化二铝粉、氧化锌粉、氧化钙粉混合物放入球磨机中研磨2h～3h后装入陶瓷皿，球磨机转速500转min～1000转min； 2再放入密闭高温炉内煅烧，煅烧温度400℃～450℃，煅烧时间4h～6h； 3降温后取出陶瓷皿内的煅烧残余物，放入容器内，加入丙三醇溶剂，丙三醇溶剂的加入量是煅烧残余物质量的1～3倍，均匀搅拌后静置2h～3h； 4取出分层后容器底部的沉淀物，在270℃～320℃下烘干，时间8h～12h； 5再研磨2h～3h，研磨至细度大于等于1500目，得到第一煅烧填料中第一组分； 第一煅烧填料中第二组分制备过程为： 1在50℃～90℃下，将聚甲基乙烯基氢硅氧烷树脂、二氧化硅粉、三氧化二铝粉、氧化锌粉、氧化钙粉混合物放入球磨机中研磨2h～3h后装入陶瓷皿，球磨机转速500转min～1000转min； 2再放入密闭高温炉内煅烧，煅烧温度400℃～450℃，煅烧时间4h～6h； 3降温后取出陶瓷皿内的煅烧残余物，放入容器内，加入丙三醇溶剂，丙三醇溶剂的加入量是煅烧残余物质量的1～3倍，均匀搅拌后静置2h～3h； 4取出容器上层悬浮液，采用2500目及以上细度的过滤筛过滤出悬浮液中的悬浮颗粒，在270℃～320℃下烘干，时间8h～12h； 5再研磨2h～3h，研磨至细度大于等于2000目，得到第一煅烧填料中第二组分； 第二煅烧填料制备过程为： 1在50℃～90℃下，将聚甲基乙烯基氢硅氧烷树脂、二氧化硅粉、三氧化二铝粉、氧化锌粉、氧化钙粉混合物放入球磨机中研磨2h～3h后装入陶瓷皿，球磨机转速500转min～1000转min； 2再放入密闭高温炉内煅烧，煅烧温度400℃～450℃，煅烧时间4h～6h； 3降温后取出陶瓷皿内的煅烧残余物，保留高温炉内壁上的絮状附集物，继续在550℃～600℃下煅烧3h～4h； 4冷却后取出高温炉内壁上的絮状附集物，得到第二煅烧填料； 其中，制备第一煅烧填料和第二煅烧填料，按质量份数计，组份为甲基有机硅树脂100份、二氧化硅粉255份、三氧化二铝粉950份、氧化锌粉6.5份、氧化钙粉5.5份。

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