西安理工大学郭仲杰获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利抗总剂量带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117369582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311607989.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权抗总剂量带隙基准电路是由郭仲杰;任瑗;王亚朋;邱子忆;李梦丽设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗总剂量带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了抗总剂量带隙基准电路，包括依次连接的总剂量效应监测电路、电流补偿电路、固定偏置电路、温度补偿电路及最小补偿电流限流电路。解决了现有带隙基准电路受总剂量效应影响而导致输出电压漂移的问题。
本发明授权抗总剂量带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.抗总剂量带隙基准电路，其特征在于：包括带有加固电路的带隙基准电路，所述加固电路包括依次连接的总剂量效应监测电路、电流补偿电路、固定偏置电路、温度补偿电路及最小补偿电流限流电路； 带隙基准电路包括运算放大器AMP、双极晶体管T1和T2、电阻R7~R12、PMOS管M1，其中双极晶体管T1的发射极接地，双极晶体管T1的基极和集电极与电阻R7的一端相连，该相连点电压为双极晶体管T1的基极和发射极电压VBE1，R7另一端X点连接连接电阻R8的一端和运算放大器AMP的同相输入端，双极晶体管T2发射极接地，双极晶体管T2的基极和集电极相连，该相连点电压为双极晶体管T2的基极和发射极电压VBE2，同时连接运算放大器AMP的反相输入端和电阻R9的一端； 所述总剂量效应监测电路包括电阻R1，电阻R1的一端与带隙基准电路的VBE1相连，电阻R1的另一端与运算放大器AMP1的反相输入端及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端连接运算放大器AMP1的输出端；电阻R2一端与电阻R7的上端VR7相连，由于运放AMP的反馈作用，VR7等于T2的基极-发射极电压VBE2，电阻R2的另一端连接电阻R3和运算放大器AMP1的同相输入端，电阻R3的另一端连接GND。
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