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中国电子科技集团公司第四十六研究所张伟获国家专利权

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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117363243B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311378257.6,技术领域涉及:C09J7/30;该发明授权一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法是由张伟;洪颖;张立欣;武聪;王丽婧;王浩栋;李攀;靳绍贤设计研发完成,并于2023-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法在说明书摘要公布了:一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法,将多孔聚四氟乙烯薄膜在钠‑萘‑四氢呋喃溶液中浸泡,冲洗晾干得到活化处理的多孔聚四氟乙烯薄膜;将硅烷偶联剂加入乙醇组成硅烷偶联剂的乙醇溶液,将多孔聚四氟乙烯薄膜浸没于硅烷偶联剂的乙醇溶液中,经烘干得到表面键连有双键的多孔聚四氟乙烯薄膜;将无机填料浸没于硅烷偶联剂的乙醇溶液中,烘干得到表面键连有双键的无机填料;将聚烯烃、无机填料、阻燃剂、抗氧剂、引发剂搅拌,形成聚烯烃复合胶液;将表面键连有双键的多孔聚四氟乙烯薄膜浸润聚烯烃复合胶液,烘干,得到聚烯烃粘结片,具有低介电常数、低介电损耗、低吸水率等优点。

本发明授权一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种低介电常数和低介电损耗的聚烯烃粘结片的制备方法,其特征在于,步骤如下: 步骤1:配制浓度为0.3mol•L-1~0.8mol•L-1的钠-萘-四氢呋喃溶液,将多孔聚四氟乙烯薄膜在钠-萘-四氢呋喃溶液中浸泡30s,然后用蒸馏水冲洗,晾干后遮光储存,得到活化处理的多孔聚四氟乙烯薄膜; 步骤2:将0.5~1.5份硅烷偶联剂加入到50~70份乙醇中组成硅烷偶联剂的乙醇溶液,将活化处理的多孔聚四氟乙烯薄膜浸没于硅烷偶联剂的乙醇溶液中,然后经过烘道以90~120℃烘干10~30min,得到表面键连有双键的多孔聚四氟乙烯薄膜; 步骤3:将25~50份无机填料浸没于硅烷偶联剂的乙醇溶液中,搅拌60~90min,然后在烘箱中以90~120℃烘干2h~5h,得到表面键连有双键的无机填料; 步骤4:将20~45份聚烯烃、25~55份表面键连有双键的无机填料、10~25阻燃剂、0.5~2份抗氧剂、1~5份引发剂,依次加入20~50份有机溶剂中,在搅拌速度600~1200rmin条件下充分搅拌90~150min,形成聚烯烃复合胶液; 步骤5:将表面键连有双键的多孔聚四氟乙烯薄膜浸润聚烯烃复合胶液,在80~120℃烘干10~30min,使表面键连有双键的多孔聚四氟乙烯薄膜、表面键连有双键的无机填料和聚烯烃树脂之间发生部分交联反应,得到聚烯烃粘结片; 所述聚烯烃树脂为聚丁二烯、改性聚丁二烯、聚异戊二烯、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物、乙烯-丙烯-双环戊二烯共聚物的一种或几种混合物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第四十六研究所,其通讯地址为:300220 天津市河西区洞庭路26号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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