买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117192902B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210613555.8，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法是由孙贺雷;陈恩浩设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法，套刻校正方法包括：获取第一相对变化率a和第二相对变化率b、第二膜层图案相对于第一膜层图案的第一工艺余量M1、第三膜层图案相对于第一膜层图案的第二工艺余量M2以及第三膜层图案相对于第二膜层图案的第三工艺余量M3、第一套刻误差和第二套刻误差的初始值X0、Y0，根据第X0和Y0计算得到第三套刻误差的初始值Z0；获取第一套刻误差的当前值X1，在X1≤M1时，根据X1和X0计算第一套刻误差的变化量DX1；设DZ1等于零，根据DX1、a和b，确定第二套刻误差的第一预期变化量DY1；在Y0+DY1≤M2时，根据DY1，确定第二套刻误差对应的前馈参数的校正值。本公开实施例可以在光刻制程中实时校正套刻误差的前馈参数。

本发明授权套刻误差模型的构建方法和套刻校正方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差模型的构建方法，其特征在于，包括： 获取第二膜层图案相对于第一膜层图案的第一套刻误差数据以及第三膜层图案相对于所述第一膜层图案的第二套刻误差数据； 根据所述第二套刻误差数据和所述第一套刻误差数据，计算所述第三膜层图案相对于所述第二膜层图案的第三套刻误差数据； 根据所述第一套刻误差数据、所述第二套刻误差数据和所述第三套刻误差数据，确定在第二套刻误差不变的情况下第三套刻误差与所述第一套刻误差的第一相对变化比率，以及在所述第一套刻误差不变的情况下所述第三套刻误差与所述第二套刻误差的第二相对变化比率；以及 构建套刻误差模型如下： DZ＝DX*a+DY*b， 其中，DX、DY、DZ分别表示所述第一套刻误差的变化量、所述第二套刻误差的变化量、所述第三套刻误差的变化量，a、b分别表示所述第一相对变化比率、所述第二相对变化比率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。